DDR4标准规定

1. DDR—动态随机存储器 2. tRC（row cycle time） --行循环时间 3. tRCD-----从行有效到读/写命令发出之间的时间间隔 4. tRRD（Row active to Row active delay） --行激活到激活延迟时间 5. tCK---时钟周期 6. AL(Additive latency)---附加的潜伏期 7. RL(Read latency)---------- 读选通潜伏期 8. WL(write latency)------ 写选通潜伏期 9. CL（CAS Latency ）----列地址脉冲选通潜伏期 10. tAC（Access Time from CLK）-----时钟触发后的访问时间 11. BL (Burst Lengths)-----突发长度 12. tRP（Row Precharge command Period）-----行预充电有效周期 13. DQS----数据选取脉冲 14. Precharge---预充电 15. Refresh—刷新，AR(auto refresh),SR(self refresh) 16. DLL--延迟锁定回路