Y-Al2O3(ll0)表面吸附CHX(x=0-4)的密度泛函理论研究 (2007年)

使用基于密度泛函理论(DFT)的Cast叩量子力学计算程序模块,对CHX(X=0-4)在Y-AI2O3(ll0D)表面吸附的位置,空间结构和能量进行了理论计算。计算结果表明.CHx=(x=0-3)与表面形成强的相互作用。CH3,CH2物种处于表面八面体铝的正上方时,结构最为稳定； CH,C物种处在表面八面体铝和三配位氧的桥键位置时,体系的总能量最低。而CH4只与Y-Al2O3(ll0D)表面发生非常弱的相互作用,构成物理吸附。布居分析表明CHx(x=0-3)与表面作用时电子从表面向CHx转移。