Ni80Fe20薄膜的微结构和各向异性磁电阻受溅射气压的影响 (2007年)

为改善Ni80Fe20薄膜的性能，研究不同溅射气压对薄膜微结构和各向异性磁电阻的影响。用磁控溅射方法制备 Ni80Fe20薄膜，用X射线衍射和扫描电子显微镜分析其结构，用四探针方法测量其各向异性磁电阻。实验研究发现，较高的溅射气压下制备的Ni80Fe20薄膜各向异性磁电阻比较低，薄膜磁化到饱和需要的磁场也比较大。在较低的溅射气压(0.2、0.5Pa)下制备的Ni80Fe20薄膜具有较高的各向异性磁电阻3.7％和4.2％，而且饱和磁化场低(低于1kA/m)。分析结果表明随着溅射气压的变化，Ni80Fe20薄